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Ci sono molte bande di frequenza ampie e non assegnate nelle frequenze sub-terahertz (sopra i 100 GHz) che sono interessanti per le applicazioni a banda larga. Il potenziale di questo gap di terahertz non concesso in licenza e inutilizzato nello spettro tra le microonde e lo spettro ottico, come un'enorme larghezza di banda, dimensioni molto piccole, velocità di dati molto elevate per applicazioni di comunicazione wireless chip-tochip e meno possibilità di interferenze esterne è una sfida non solo per applicazioni spaziali, ma anche per applicazioni di difesa. La debolezza dei tubi a vuoto (ingombranti e discreti) può essere superata se i tubi a vuoto sono realizzati con tecnologie di nanofabbricazione del silicio e il meccanismo di funzionamento viene spostato dall'emissione termoionica all'emissione di campo. Questa tesi di diploma presenta il progetto di ricerca, utilizzando strumenti software appropriati, di un transistor a canale sottovuoto da 150 nm. Questo transistor opera ad una frequenza al di sopra dello spettro delle microonde e al di sotto dello spettro ottico, quindi tra 100 GHz e 3 THz, utilizzando il processo tradizionale del silicio.