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La industria de la microelectrónica ha avanzado hacia el régimen de la nanoescala, que ha logrado un bajo consumo y una alta velocidad de conmutación en los circuitos electrónicos. Según la Hoja de Ruta Tecnológica Internacional para los Semiconductores ITRS-2020, la tecnología actual ha alcanzado un tamaño de característica inferior a los 10 nm y está avanzando hacia los 5,6 nm. Para mantener la reducción de escala no sólo es esencial desarrollar nuevas arquitecturas de dispositivos, sino que también puede ser necesario sustituir el silicio. Intel ha desarrollado dispositivos basados en transistores de tres puertas con una longitud de puerta de 14 nm. Los FET de compuerta múltiple y las estructuras de transistores de nanohilos resultan adecuados por debajo del nodo tecnológico de 14 nm. Sin embargo, se está explorando la posibilidad de desarrollar Nanocables verticales con materiales compuestos III-V, materiales de óxido de compuerta de altö y compuertas metálicas de mejor rendimiento.
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