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Die kontinuierliche Nachfrage der Industrie nach kleiner und stromsparender Unterhaltungselektronik motiviert uns, neue Wege für Designverbesserungen zu suchen.Angesichts zahlreicher verfügbarer und kommender Technologien für die Herstellung von Halbleiterbauelementen muss die Auswahl der Technologie, die als die Zukunft der Industrie bezeichnet werden kann, gegen verschiedene Anforderungen, Einschränkungen und Parameter abgewogen werden.Hier werden einige neue stromsparende Hochgeschwindigkeits-Volladdierer-Schaltungen unter Verwendung von Kohlenstoff-Nanoröhren-Feldeffekttransistoren für…mehr

Produktbeschreibung
Die kontinuierliche Nachfrage der Industrie nach kleiner und stromsparender Unterhaltungselektronik motiviert uns, neue Wege für Designverbesserungen zu suchen.Angesichts zahlreicher verfügbarer und kommender Technologien für die Herstellung von Halbleiterbauelementen muss die Auswahl der Technologie, die als die Zukunft der Industrie bezeichnet werden kann, gegen verschiedene Anforderungen, Einschränkungen und Parameter abgewogen werden.Hier werden einige neue stromsparende Hochgeschwindigkeits-Volladdierer-Schaltungen unter Verwendung von Kohlenstoff-Nanoröhren-Feldeffekttransistoren für Echtzeit-, fehlertolerante und unternehmenskritische Anwendungen vorgestellt.
Autorenporträt
Dr. Jitendra Kumar Saini was born in Jaipur, Rajasthan, India. He received his B.E., M.Tech. and Ph.D. degree ECE from Birla Institute of Technology, Mesra; Malviya National Institute of Technolgy, Jaipur & Manipal University Jaipur. Currently, he is an Associate Professor in the E.C.E. department at Vignan's LARA Institute of Technology & Science.