ZONGLIN LI

Vysokoäffektiwnyj swetoizluchaüschij diod GaN

Issledowanie nadezhnosti

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Produktbeschreibung

Izuchena nadezhnost' swetodiodow (LED) InGaN/GaN s raznoj dlinoj wolny izlucheniq i raznoj geometriej. Izmerqlis' takie harakteristiki ustrojstwa, kak tokowo-naprqzhenie, spektr shumow 1/f, utechka, staticheskoe soprotiwlenie. Pribory proshli 1000-chasowoj test na naprqzhenie postoqnnogo toka, i byla issledowana skorost' degradacii ih opticheskogo wyhoda. Rezul'taty byli ob#qsneny perekrestnymi dannymi.

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Produktdetails

• Verlag: Sciencia Scripts
• Seitenzahl: 80
• Erscheinungstermin: 24. Juli 2021
• Russisch
• Abmessung: 220mm x 150mm x 5mm
• Gewicht: 137g
• ISBN-13: 9786203558166
• ISBN-10: 6203558168
• Artikelnr.: 62327343

Autorenporträt

Zonglin Li poluchil stepen' magistra estestwennyh nauk w 2009 godu w Uniwersitete Gonkonga, Gonkong. V nastoqschee wremq ona rabotaet nad polucheniem stepeni doktora filosofii w oblasti älektrotehniki w Kalifornijskom uniwersitete w Riwersajde. Ee osnownymi interesami qwlqütsq tehnologicheskij process na osnowe nitrida galliq, tehnologiq i integraciq na kremniewoj platforme.