Diälektriki s wysokoj pronicaemost'ü i podhodqschie podlozhki intensiwno izuchaütsq s cel'ü ih ispol'zowaniq w razrabotke SBIS. Nowyj smeshannyj wysokokristallicheskij diälektrik zatwora, t.e. oxid tantala, legirowannyj cirkoniem (Zr-doped TaOx) i oxid tantala, legirowannyj gafniem (Hf-doped TaOx), byl tschatel'no izuchen dlq buduschih prilozhenij MOP-tranzistorow. Osazhdenie nowogo high-k diälektrika zatwora putem smeshiwaniq Ta2O5 s ZrO2 i HfO2 metodom sowmestnogo napyleniq, chtoby dostich' trebowanij termodinamicheskoj stabil'nosti, wysokogo diapazona temperatury perehoda amorfnogo sostoqniq w kristallicheskoe, bol'shogo älektricheskogo zazora i bol'shogo bar'era änergeticheskoj polosy s Si dlq äry ULSI. Byli prowedeny obshirnye issledowaniq processa izgotowleniq i harakteristik ustrojstw. Takim obrazom, äta kniga budet polezna chitatelqm dlq oznakomleniq s nekotorymi wazhnymi woprosami, kasaüschimisq smeshannyh diälektricheskih materialow s high-k zatworom dlq wysokochastotnyh ustrojstw.