Vysokoproizwoditel'naq realizaciq uniwersal'nogo gejta s nizkim änergopotrebleniem - Sharma, Dzhetandzhali
13,99 €
inkl. MwSt.

Versandfertig in über 4 Wochen
payback
7 °P sammeln
  • Broschiertes Buch

Byla predstawlena nowaq tehnika snizheniq moschnosti, nazwannaq Voltage Scaling Stacked Transistor (VS-STACK). Predlozhennaq tehnika byla srawnena s nekotorymi iz suschestwuüschih metodow snizheniq änergopotrebleniq. Rezul'tat pokazywaet kolossal'noe snizhenie änergopotrebleniq dlq dwuhwhodowogo zatwora NOR. Potreblenie änergii snizheno na 20-90%. Krome togo, nablüdaetsq znachitel'noe uluchshenie w proizwedenii zaderzhki moschnosti. Sledowatel'no, äta tehnika mozhet byt' ispol'zowana dlq wysokoskorostnyh shem. Shema rabotaet w podporogowoj oblasti, chto podhodit dlq prilozhenij, trebuüschih chrezwychajno nizkogo änergopotrebleniq.…mehr

Andere Kunden interessierten sich auch für
Produktbeschreibung
Byla predstawlena nowaq tehnika snizheniq moschnosti, nazwannaq Voltage Scaling Stacked Transistor (VS-STACK). Predlozhennaq tehnika byla srawnena s nekotorymi iz suschestwuüschih metodow snizheniq änergopotrebleniq. Rezul'tat pokazywaet kolossal'noe snizhenie änergopotrebleniq dlq dwuhwhodowogo zatwora NOR. Potreblenie änergii snizheno na 20-90%. Krome togo, nablüdaetsq znachitel'noe uluchshenie w proizwedenii zaderzhki moschnosti. Sledowatel'no, äta tehnika mozhet byt' ispol'zowana dlq wysokoskorostnyh shem. Shema rabotaet w podporogowoj oblasti, chto podhodit dlq prilozhenij, trebuüschih chrezwychajno nizkogo änergopotrebleniq.
Autorenporträt
Geetandzhali Sharma imeet 12-letnij opyt prepodawaniq i nauchnoj raboty w oblasti älektroniki i swqzi i proektirowaniq SBIS. Ona imeet neskol'ko publikacij w mezhdunarodnyh zhurnalah i konferenciqh w oblasti proektirowaniq SBIS.