Byla predstawlena nowaq tehnika snizheniq moschnosti, nazwannaq Voltage Scaling Stacked Transistor (VS-STACK). Predlozhennaq tehnika byla srawnena s nekotorymi iz suschestwuüschih metodow snizheniq änergopotrebleniq. Rezul'tat pokazywaet kolossal'noe snizhenie änergopotrebleniq dlq dwuhwhodowogo zatwora NOR. Potreblenie änergii snizheno na 20-90%. Krome togo, nablüdaetsq znachitel'noe uluchshenie w proizwedenii zaderzhki moschnosti. Sledowatel'no, äta tehnika mozhet byt' ispol'zowana dlq wysokoskorostnyh shem. Shema rabotaet w podporogowoj oblasti, chto podhodit dlq prilozhenij, trebuüschih chrezwychajno nizkogo änergopotrebleniq.
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