
Vysokoproizwoditel'naq realizaciq uniwersal'nogo gejta s nizkim änergopotrebleniem
Versandkostenfrei!
Versandfertig in 6-10 Tagen
13,99 €
inkl. MwSt.
PAYBACK Punkte
7 °P sammeln!
Byla predstawlena nowaq tehnika snizheniq moschnosti, nazwannaq Voltage Scaling Stacked Transistor (VS-STACK). Predlozhennaq tehnika byla srawnena s nekotorymi iz suschestwuüschih metodow snizheniq änergopotrebleniq. Rezul'tat pokazywaet kolossal'noe snizhenie änergopotrebleniq dlq dwuhwhodowogo zatwora NOR. Potreblenie änergii snizheno na 20-90%. Krome togo, nablüdaetsq znachitel'noe uluchshenie w proizwedenii zaderzhki moschnosti. Sledowatel'no, äta tehnika mozhet byt' ispol'zowana dlq wysokoskorostnyh shem. Shema rabotaet w podporogowoj oblasti, chto podhodit dlq prilozhenij, trebuüs...
Byla predstawlena nowaq tehnika snizheniq moschnosti, nazwannaq Voltage Scaling Stacked Transistor (VS-STACK). Predlozhennaq tehnika byla srawnena s nekotorymi iz suschestwuüschih metodow snizheniq änergopotrebleniq. Rezul'tat pokazywaet kolossal'noe snizhenie änergopotrebleniq dlq dwuhwhodowogo zatwora NOR. Potreblenie änergii snizheno na 20-90%. Krome togo, nablüdaetsq znachitel'noe uluchshenie w proizwedenii zaderzhki moschnosti. Sledowatel'no, äta tehnika mozhet byt' ispol'zowana dlq wysokoskorostnyh shem. Shema rabotaet w podporogowoj oblasti, chto podhodit dlq prilozhenij, trebuüschih chrezwychajno nizkogo änergopotrebleniq.