Andere Kunden interessierten sich auch für
![Hochleistungs-GaN-Licht-Emissionsdiode]( "Hochleistungs-GaN-Licht-Emissionsdiode")
Hochleistungs-GaN-Licht-Emissionsdiode49,00 €![Hoge prestatie GaN licht-emitterende diode]( "Hoge prestatie GaN licht-emitterende diode")
Hoge prestatie GaN licht-emitterende diode32,99 €![Diode électroluminescente GaN à haute performance]( "Diode électroluminescente GaN à haute performance")
Diode électroluminescente GaN à haute performance32,99 €![Vysokoäffektiwnyj swetoizluchaüschij diod GaN]( "Vysokoäffektiwnyj swetoizluchaüschij diod GaN")
Vysokoäffektiwnyj swetoizluchaüschij diod GaN32,99 €![Diodo emissor de luz GaN de alto desempenho]( "Diodo emissor de luz GaN de alto desempenho")
Diodo emissor de luz GaN de alto desempenho32,99 €![Diodo a emissione luminosa GaN ad alte prestazioni]( "Diodo a emissione luminosa GaN ad alte prestazioni")
Diodo a emissione luminosa GaN ad alte prestazioni32,99 €![fen bu shi guang xian chuan gan ji shu ji ben yuan li ji dian xing ying yong fen xi]( "fen bu shi guang xian chuan gan ji shu ji ben yuan li ji dian xing ying yong fen xi")
fen bu shi guang xian chuan gan ji shu ji ben yuan li ji dian xing ying yong fen xi18,99 €
Zbadano niezawodno¿¿ diod elektroluminescencyjnych (LED) InGaN/GaN o ró¿nych d¿ugo¿ciach fali emisyjnej i ró¿nych geometriach. Zmierzono charakterystyki pr¿dowo-napi¿ciowe, widmo szumu 1/f, up¿ywno¿¿, rezystancj¿ statyczn¿. Urz¿dzenia poddano 1000-godzinnemu testowi obci¿¿eniowemu stäopr¿dowemu i zbadano stopie¿ degradacji ich wyj¿cia optycznego. Uzyskane wyniki zostäy wyjänione na podstawie danych przekrojowych.