W tej pracy cienkie warstwy tlenku cyny indu (ITO) by¿y hodowane zarówno technik¿ rozpylania magnetronowego DC jak i RF. Aby poznä szybko¿¿ osadzania ITO, system zostä skalibrowany zarówno dla DCMS jak i RFMS, a nast¿pnie ITO by¿y uprawiane na szklanym pod¿o¿u o grubo¿ci 70 nm i 40 nm poprzez zmian¿ temperatury pod¿o¿a. Zbadano wp¿yw temperatury pod¿o¿a, grubo¿ci warstwy i metody napylania na w¿äciwo¿ci strukturalne, elektryczne i optyczne. Wyniki pokazuj¿, ¿e temperatura pod¿o¿a i grubo¿¿ folii znacz¿co wp¿ywa na w¿äciwo¿ci folii, zw¿aszcza na krystalizacj¿ i rezystywno¿¿. Cienkie warstwy hodowane w temperaturze ni¿szej ni¿ 150 oC wykazywäy struktur¿ amorficzn¿. Jednak¿e, krystalizacja by¿a wykrywana wraz z dalszym wzrostem temperatury pod¿o¿a. Szczelina pasmowa ITO zostäa obliczona na oko¿o 3.64eV w temperaturze pod¿o¿a 150 oC i zwi¿kszäa si¿ wraz ze wzrostem temperatury pod¿o¿a. Z pomiarów elektrycznych wynika, ¿e rezystywno¿¿ w temperaturze pokojowej wynosi¿a 1.28×10-4 i 1.29×10-4 D-cm, odpowiednio dla folii napylanych pr¿dem stäym i pr¿dem przemiennym. Zmierzyli¿my równie¿ zale¿no¿¿ rezystywno¿ci od temperatury oraz wspó¿czynnik Halla folii, a tak¿e obliczyli¿my koncentracj¿ no¿ników i ruchliwo¿¿ Halla.
Bitte wählen Sie Ihr Anliegen aus.
Rechnungen
Retourenschein anfordern
Bestellstatus
Storno