CdSe yar iletkeni ince film transistörlerde, günes pillerinde, optoelektronik ayg t üretiminde, alan etkili transistörlerde, k z l ötesi optikte, s ga bag ml direnç uygulamalar nda ve gama s g dedektörlerinde yayg n olarak kullan lmaktad r. ZnSe ve kar s mlar ndan elektromanyetik spektrumun mavi ve yesil bölgesinde çal san laser elde edilmesi sonucunda, bu malzeme yar iletken teknolojisinde genis yasak enerji aral kl yar iletkenlerin öneminin artmas n saglam st r. Büyütme metotlar aras nda SILAR daha ucuz, daha basit ve az zaman harcanmas gibi özelliklerinden dolay son y llarda oldukça tercih edilmektedir. Bu metot bir kimyasal çözeltiden katk lama teknigidir. Bilesik yar iletken ince filmlerin, her bir türünün iyonlar n içeren sulu çözeltiler içerisine taban malzemenin belli bir s ra ile dald r larak, taban malzeme üzerine çökelmesi ile olusmas n saglayan basit bir tekniktir. SILAR yöntemiyle büyütülen CdSe, ZnSe ve bunlar n kar s mlanmas sonucu olusan CdxZn1-xSe ince filmlerinin, s cakl ga bagl sogurma, fotolüminesans, SEM, XRD, özdirenç ve kal nl k ölçümleri yap lm st r.