Zur Bildung und Stabilität von Tricalciumsilikat und Aliten
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A. Literaturteil Auf dem Gebiet des Tricalciumsilikates und der Alite war in der Vergangen heit eine rege Forschungstätigkeit zu verzeichnen. Die Resultate lassen sich im Wesentlichen wie folgt zusammenfassen: 1. Es wurde gefunden, daß der Stabilitätsbereich des reinen Tricalcium silikates von ca. 1250°C bis ca. 2050°C reicht. Oberhalb schmilzt es inkongruent unter Bildung von CaO und Schmelze, unterhalb zerfällt es in CaO und cs. 2 2. Erweitert sich das System durch Hinzutreten einer Nebenkomponente zum Dreistoffsystem, so gibt es zwei prinzipielle Möglichkeiten der Stabi litätsbezieh...
A. Literaturteil Auf dem Gebiet des Tricalciumsilikates und der Alite war in der Vergangen heit eine rege Forschungstätigkeit zu verzeichnen. Die Resultate lassen sich im Wesentlichen wie folgt zusammenfassen: 1. Es wurde gefunden, daß der Stabilitätsbereich des reinen Tricalcium silikates von ca. 1250°C bis ca. 2050°C reicht. Oberhalb schmilzt es inkongruent unter Bildung von CaO und Schmelze, unterhalb zerfällt es in CaO und cs. 2 2. Erweitert sich das System durch Hinzutreten einer Nebenkomponente zum Dreistoffsystem, so gibt es zwei prinzipielle Möglichkeiten der Stabi litätsbeziehungen in Abhängigkeit von der Löslichkeit der Nebenkomponente in cs und cs. Entweder die Löslichkeit ist im cs höher, dann 3 2 3 steht das gesättigte cs (Alit) mit einer Verbindung der Nebenkomponente und cs bzw. CaO im Gleichgewicht. Oder die Löslichkeit ist im 2 cs höher, dann ist in der Regel das gesättigte cs bei einer Ober 2 3 dotierung zunehmend instabil, weil cs (Belit) mit CaO ins Gleichgewicht tritt. Dies ist namentlich bei Ko (ohne so !), SrO, BaO, Bo, 2 3 3 2 Po, Ti0 (?), vo und Cro als wichtigen Nebenkomponenten der 25 2 25 23 Fall. Dieser spezifische Einfluß der Nebenkomponenten bleibt in der Regel auch bei Mehrkomponentenaliten und im technischen Zementklinker brand erhalten. 3. Dqs Tricalciumsilikat bietet prinzipiell 4 unterschiedliche Gitterplätze für den Einbau von Fremdionen: Substitution auf Ca-, Si- oder 0-Plätzen und Addition auf regulären Gitterleerstellen.
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