Advanced Gate Stacks for High-Mobility Semiconductors (eBook, PDF)
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Produktdetails
- Verlag: Springer Berlin
- Erscheinungstermin: 1. Januar 2008
- Englisch
- ISBN-13: 9783540714910
- Artikelnr.: 37370062
Strained-Si CMOS Technology.- High Current Drivability MOSFET Fabricated on Si(110) Surface.- Advanced High-Mobility Semiconductor-on-Insulator Materials.- Passivation and Characterization of Germanium Surfaces.- Interface Engineering for High-? Ge MOSFETs.- Effect of Surface Nitridation on the Electrical Characteristics of Germanium High-?/Metal Gate Metal-Oxide-Semiconductor Devices.- Modeling of Growth of High-? Oxides on Semiconductors.- Physical, Chemical, and Electrical Characterization of High-? Dielectrics on Ge and GaAs.- Point Defects in Stacks of High-? Metal Oxides on Ge: Contrast with the Si Case.- High ? Gate Dielectrics for Compound Semiconductors.- Interface Properties of High-? Dielectrics on Germanium.- A Theoretical View on the Dielectric Properties of Crystalline and Amorphous High-? Materials and Films.- Germanium Nanodevices and Technology.- Opportunities and Challenges of Germanium Channel MOSFETs.- Germanium Deep-Submicron p-FET and n-FET Devices, Fabricated on Germanium-On-Insulator Substrates.- Processing and Characterization of III-V Compound Semiconductor MOSFETs Using Atomic Layer Deposited Gate Dielectrics.- Fabrication of MBE High-? MOSFETs in a Standard CMOS Flow.
Strained-Si CMOS Technology.- High Current Drivability MOSFET Fabricated on Si(110) Surface.- Advanced High-Mobility Semiconductor-on-Insulator Materials.- Passivation and Characterization of Germanium Surfaces.- Interface Engineering for High-? Ge MOSFETs.- Effect of Surface Nitridation on the Electrical Characteristics of Germanium High-?/Metal Gate Metal-Oxide-Semiconductor Devices.- Modeling of Growth of High-? Oxides on Semiconductors.- Physical, Chemical, and Electrical Characterization of High-? Dielectrics on Ge and GaAs.- Point Defects in Stacks of High-? Metal Oxides on Ge: Contrast with the Si Case.- High ? Gate Dielectrics for Compound Semiconductors.- Interface Properties of High-? Dielectrics on Germanium.- A Theoretical View on the Dielectric Properties of Crystalline and Amorphous High-? Materials and Films.- Germanium Nanodevices and Technology.- Opportunities and Challenges of Germanium Channel MOSFETs.- Germanium Deep-Submicron p-FET and n-FET Devices, Fabricated on Germanium-On-Insulator Substrates.- Processing and Characterization of III-V Compound Semiconductor MOSFETs Using Atomic Layer Deposited Gate Dielectrics.- Fabrication of MBE High-? MOSFETs in a Standard CMOS Flow.