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Inhaltsangabe
1. Der Leitungsmechanismus in elektronischen Halbleitern.- II. Störstellen und Versetzungen.- III. Das Defektelektron.- IV. Die Wirkungsweise von Kristallgleichrichtern.- V. Die physikalische Wirkungsweise von Kristallverstärkern (Transistoren).- VI. Näherungsmethoden in der Quantenmechanik des Wasserstoffmoleküls.- VII Das Bändermodell.- VIII. Fermi-Statistik der Kristallelektronen.- IX. Rekombinationsmechanismen in elektronischen Halbleitern.- X. Randschichten in Halbleitern und der Kontakt Halbleiter-Metall.- XI. Der einfachste Fall einer quantenmechanischen Theorie der Beweglichkeit.- XII. Mathematischer Anhang.- Tabellen.- Autorenverzeichnis.
1. Der Leitungsmechanismus in elektronischen Halbleitern.- II. Störstellen und Versetzungen.- III. Das Defektelektron.- IV. Die Wirkungsweise von Kristallgleichrichtern.- V. Die physikalische Wirkungsweise von Kristallverstärkern (Transistoren).- VI. Näherungsmethoden in der Quantenmechanik des Wasserstoffmoleküls.- VII Das Bändermodell.- VIII. Fermi-Statistik der Kristallelektronen.- IX. Rekombinationsmechanismen in elektronischen Halbleitern.- X. Randschichten in Halbleitern und der Kontakt Halbleiter-Metall.- XI. Der einfachste Fall einer quantenmechanischen Theorie der Beweglichkeit.- XII. Mathematischer Anhang.- Tabellen.- Autorenverzeichnis.
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