Heiner Ryssel, Ingolf Ruge

Ionenimplantation (eBook, PDF)

• Format: PDF

Produktbeschreibung

In den letzten Jahren erschienen bereits mehrere Bücher zum Thema Ionenimplanta tion, die sich fast ausschließlich an auf dem Gebiet der Ionenimplantation tätige Wissenschaftler wenden und deshalb der Theorie einen sehr breiten Raum einräumen. Im Gegensatz hierzu wendet sich das vorliegende Werk weniger an den Implanta tionsfachmann, sondern mehr an Forscher und Entwickler in Industrie, F or schungslaboratorien und Hochschulen, die an der Ionenimplantation als neuem Hilfsmittel zur Veränderung von Materialeigenschaften interessiert sind und wissen wollen, ob die Ionenimplantation für ihr Problem anwendbar ist. Bei einer solchen Ausrichtung muß deshalb nach unserer Meinung neben einem kurzen Abriß der theoretischen Grundlagen vor allem die Behandlung von Problemen bei der Anwendung der Implantation im Vordergrund der Darstellung stehen, wovon hier zum Beispiel genannt seien die elektrische Aktivierung implantierter Ionen, Diffusionseffekte sowie die Diskussion der hauptsächlich verwendeten Meß methoden zur Untersuchung implantierter Schichten, die apparativen Anforderungen an Beschleunigungssysteme und natürlich zahlreiche Beispiele zur Anwendung der Ionenimplantation. Die Schwerpunkte des Buches liegen bei der Dotierung von Halbleitern durch Ionenimplantation, da dies zur Zeit und wahrscheinlich noch sehr lange ihre Hauptanwendung sein wird; dennoch wird von Fall zu Fall auf die weiteren Möglich keiten der Implantation eingegangen.

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Produktdetails

• Verlag: Vieweg+Teubner Verlag
• Seitenzahl: 366
• Erscheinungstermin: 8. März 2013
• Deutsch
• ISBN-13: 9783663056683
• Artikelnr.: 53392607

Inhaltsangabe

1 Einleitung.- 1.1 Eigenschaften und Möglichkeiten der Ionenimplantation.- 1.2 Historischer Rückblick.- 2 Grundlagen der Ionenimplantation.- 2.1 Reichweite von Ionen in Festkörpern.- 2.2 Strahlenschäden in Festkörpern.- 2.3 Der Channeling-Effekt.- 3 Probleme bei der Implantation in reale Festkörper.- 3.1 Wirkung und Ausheilen von Strahlenschäden.- 3.2 Elektrische Aktivierung implantierter Ionen.- 3.3 Reichweiteverteilung in Zweischichtstrukturen.- 3.4 Maskierungsschichten.- 3.5 Laterale Streuung.- 3.6 Passivierungsschichten.- 3.7 lonenzerstäubung während der Implantation.- 3.8 Diffusion.- 3.9 Probenerwärmung.- 4 Ionenimplantationsapparaturen.- 4.1 Ionenquellen.- 4.2 Beschleunigung und Fokussierung.- 4.3 Strahlanalyse.- 4.4 Strahlablenkung und Homogenität.- 4.5 Probenkammer.- 4.6 Vakuum.- 5 Meßmethoden zur Untersuchung ionenimplantierter Schichten.- 5.1 Anätzen von pn-Übergängen.- 5.2 Bestimmung des Leitungstyps.- 5.3 Kapazität-Spannung-Messung.- 5.4 Schichtwiderstandsmessungen.- 5.5 Halleffektmessungen.- 5.6 Messung des Ausbreitungswiderstandes.- 5.7 Strom-Spannung-Messung.- 5.8 Analyse implantierter Schichten mit energiereichen, leichten Ionen.- 5.9 Aktivierungsanalyse.- 6 Eigenschaften ionenimplantierter Halbleiterschichten.- 6.1 Implantation in Silicium.- 6.2 Implantation in Germanium.- 6.3 III-V-Halbleiter.- 6.4 Implantation in II-VI- und IV-VI-Halbleiter.- 6.5 Siliciumkarbid.- 7 Bauelemente.- 7.1 MOS-Bauelemente.- 7.2 Widerstände.- 7.3 Dioden.- 7.4 Bipolare Transistoren.- 7.5 Feldeffekttransistoren.- 7.6 Verschiedene Halbleiterbauelemente.- 8 Implantation in Nichthalbleiter.- 8.1 Implantation in Metalle.- 8.2 Implantation in optische Materialien.- 8.3 Weitere Anwendungen der Implantation auf Nichthalbleiter..- 9 Anhang.- 9.1 Daten von Halbleiternund Isolatoren.- 9.2 Diffusionskoeffizienten.- 9.3 Löslichkeiten von Elementen in Silicium und Germanium.- 9.4 Reichweitetabellen.- 9.5 Häufigkeit der Isotope.- 9.6 Dampfdruck.- 9.7 Fehlerfunktion.- 10 Literatur.- Bücher und Übersichtsartikel.- Bibliographien.- Konferenzberichte.- Fachartikel.