This book systematically introduces physical characteristics and implementations of III-nitride wide bandgap semiconductor materials and electronic devices, with an emphasis on high-electron-mobility transistors (HEMTs).

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Produktdetails

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Verlag: Taylor & Francis eBooks
Seitenzahl: 392
Erscheinungstermin: 3. November 2016
Englisch
ISBN-13: 9781315351834
Artikelnr.: 47134176

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Verlag: Taylor & Francis eBooks
Seitenzahl: 392
Erscheinungstermin: 3. November 2016
Englisch
ISBN-13: 9781315351834
Artikelnr.: 47134176

Herstellerkennzeichnung

Autorenporträt

Yue Hao, Jin Feng Zhang, and Jin Cheng Zhang are affiliated with Xidian University, China.

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