Blagodarq swoim unikalnym fizichiskim swojstwam poluprowodnikowye twerdye rastwory w nastoqschee wremq nahodqt wse bolee shirokoe primenenie w poluprowodnikowom priborostroenii.Takimi w nastoqschee wremq qwlqütsq twerdye rastwory, poluchennye na osnowe älementarnyh poluprowodnikow (Si,Ge) soedinenij A3B5, A2B6. Otdel'nye twerdye rastwory obladaüt specificheskimi prisuschimi tol'ko im swojstami. Odnako, poka esche ne izucheny wse wozmozhnosti poluprowodnikowyh twerdyh rastworow kak w tehnologicheskim plane, tak i w plane izucheniqh ih fizicheskih swojstw. V nastoqschee wremq otdel'nye poluprowodnikowye twerdye rastwory, kakimi qwlqütsq (S24)1-x(A3B5) x , (S24)1-x(A2B6) x nahodqtsq tol'ko lish' na nachal'noj stadii izucheniq , a otdel'nie klassy poluprowodnikowyh twerdyh rastworow (S24)1-x(A2B6)x, (A3B5)1-x(A2B6) x predskazonnye teoreticheski, äxperimental'no poka ne polucheny woobsche. Poätomu poisk tehnologicheskih wozmozhnostej polucheniq nowyh poluprowodnikowyh twerdyh rastworow s uprawlqemym sostawom, s uluchshennoj kristallicheskoj strukturoj, s wozmozhnostqmi polucheniq na ih osnowe nowyh poluprowodnikowyh struktur, predstawlqetsq wes'ma aktualnym naprawleniem.