Dannaya rabota posvyashhena probleme postroeniya nelinejnyh modelej SVCh polevyh tranzistorov, a takzhe proektirovaniju monolitnyh integral'nyh shem SVCh diapazona. V pervoj glave priveden obzor sposobov harakterizacii nelinejnyh poluprovodnikovyh ustrojstv i metodov proektirovaniya SVCh usilitelej moshhnosti. Vo vtoroj glave rassmatrivajutsya principy postroeniya malosignal'noj modeli SVCh tranzistora, privedena avtorskaya metodika postroeniya nelinejnoj modeli dlya geterostrukturnyh SVCh tranzistorov. V tret'ej glave opisana razrabotannaya metodika proektirovaniya SVCh usilitelej moshhnosti na osnove bol'shesignal'nyh parametrov rasseyaniya i nagruzochnym diagramm. Jexperimental'nye rezul'taty postroeniya modelej i proektirovaniya SVCh usilitelej moshhnosti rassmotreny v chetvertoj glave. Dannaya rabota budet polezna nauchnym sotrudnikam, aspirantam i studentam starshih kursov.