V dannoj rabote opisyvaetsya konstrukciya i tehnologiya izgotovleniya novogo usilitelya moshhnosti SVCh-diapazona v gibridno-integral'nom ispolnenii s ispol'zovaniem dvuhkristal'nyh polevyh tranzistorov s bar'erom Shottki i integral'nym teplootvodom. V rabote provedjon raschjot umen'sheniya massy i gabaritov modificirovannogo modulya po sravneniju s serijnoj versiej, provedjon teplovoj raschet konstrukcii GIS. Dannyj usilitel' yavlyaetsya aktual'noj razrabotkoj i sootvetstvuet sovremennomu urovnju razvitiya RJeA SVCh-diapazona.