En este trabajo se llevan a cabo cálculos ab-initio para estudiar la adsorción e incorporación de átomos de cobre (Cu) en la superficie de Nitruro de Galio, (0001)GaN y en las capas más profundas de un slab de GaN, con la geometría 2×2. Se emplea el método del seudopotencial-ondas planas dentro del marco de la teoría del funcional de la densidad (DFT). Se describe la interacción electrón-electrón mediante la aproximación de gradiente generalizado(GGA).