Dietrich Bräunig

Wirkung hochenergetischer Strahlung auf Halbleiterbauelemente

• Broschiertes Buch

Produktbeschreibung

Mit dem rasch wachsenden Integrationsgrad mikroelektronischer Schaltungen steigt der mögliche Schaden durch hochenergetische Strahlung, insbesondere im Einsatzbereich von Luft- und Raumfahrttechnik, aber auch bei Kernreaktoren, in der Materialforschung und in der medizinischen Diagnostik und Therapie. Das Buch liefert eine fundierte Einführung, die von den physikalischen Grundlagen der Wechselwirkung von Strahlung mit Materie, über die Erklärung von Schädigungsmechanismen bis hin zur Beschreibung von Strahlungsempfindlichkeit reicht. Der starke Einfluß der verwendeten Technologie wird ebenso behandelt wie die Möglichkeit der Abschirmung und der Einfluß von Strukturverkleinerungen auf die Strahlensensibiltät.

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Produktdetails

• Mikroelektronik
• Verlag: Springer / Springer Berlin Heidelberg / Springer, Berlin
• Artikelnr. des Verlages: 978-3-540-50891-5
• 1989.
• Seitenzahl: 212
• Erscheinungstermin: 7. August 1989
• Deutsch
• Abmessung: 244mm x 170mm x 12mm
• Gewicht: 362g
• ISBN-13: 9783540508915
• ISBN-10: 3540508910
• Artikelnr.: 34919098

Inhaltsangabe

1 Einführung.- 2 Wechselwirkung (WW) zwischen Strahlung und Materie.- 2.1 Vorbemerkungen.- 2.2 Photonen.- 2.3 Elektronen.- 2.4 Protonen und schwere Ionen.- 2.5 Neutronen.- 3 Schädigungsmechanismen im Silizium und Siliziumdioxid.- 3.1 Vorbemerkungen.- 3.2 Permanente Defekte im Silizium.- 3.3 Transiente Defekte im Silizium.- 3.4 Siliziumdioxid: Defekte im Volumen und an der Phasengrenze.- 4 Bauelementbezogene Schädigung.- 4.1 Vorbemerkungen.- 4.2 Permanente Schädigung in bipolaren und MOS Transistoren.- 4.3 Auswirkungen auf integrierte Schaltungen in Beispielen.- 4.4 Lokalisierte Schädigungsereignisse.- 4.5 Degradation, Härtung und Miniaturisierung.- 5 Bestrahlungstests und Schädigungsvorhersage.- 5.1 Vorbemerkungen.- 5.2 Bestrahlungsquellen.- 5.3 Abschirmung.- 5.4 Bestimmung der Funktionssicherheit.- 6 Literatur.- 7. Sachverzeichnis.