Farid Medjdoub

Conception et réalisation de transistors à effet de champ à 94 GHz

Transistors sur substrat InP pour amplification de puissance en bande W

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Produktbeschreibung

L'objectif de ce travail est la conception et la réalisation de transistors à effet de champ (TEC) sur substrat InP pour l'amplification de puissance en bande W. Le but est d'étudier les potentialités en puissance de différents TEC dans la filière InP à 94 GHz. La montée en fréquence requiert la diminution des dimensions du composant, ce qui est assurément défavorable à une bonne tenue en tension. Notre défi était de tenter d'élaborer des transistors capables de fonctionner à cette fréquence et possédant une tension de claquage élevée. Une structure à canal InAsP délivrant une fréquence de coupure de 140 GHz, une fréquence maximum d'oscillation de 430 GHz et un gain maximum disponible à 94 GHz de 13 dB avec une grille de 70 nm nous a permis d'atteindre l'état de l'art mondial en puissance à 94 GHz des HEMTs sur substrat InP.

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Produktdetails

• Verlag: Éditions universitaires européennes
• Aufl.
• Seitenzahl: 176
• Erscheinungstermin: 1. Dezember 2011
• Französisch
• Abmessung: 220mm x 150mm x 11mm
• Gewicht: 250g
• ISBN-13: 9786131504327
• ISBN-10: 6131504326
• Artikelnr.: 34546092

Autorenporträt

Docteur en Microélectronique et Nanotechnologie de l'Université de Lille1 et actuellement chargé de recherche au CNRS. Ses thématiques de recherche portent sur la modélisation et la fabrication de composants et circuits en gamme d'ondes millimétriques.