Walter Kellner, Hermann Kniepkamp

GaAs-Feldeffekttransistoren

• Broschiertes Buch

Produktbeschreibung

Aus den Besprechungen: "...Das Buch wendet sich an Ingenieure, Naturwissenschaftler und Studenten, die sich in die Herstellungstechnik und Eigenschaften dieser neuen Bauelemente einarbeiten wollen. Auf Grund der hohen Bedeutung dieser Technik wurde ihr ein eigener Band in der bekannten und bereits an dieser Stelle diskutierten Reihe Halbleiter-Elektronik gewidmet. Vorausgesetzt wird die Kenntnis der Grundlagen der Halbleiter-Elektronik. Die Verfasser sind kompetente Fachleute aus der zentralen Forschung und Entwicklung der Siemens AG München ... Besonders wertvoll ist ein umfangreiches, nach den Kapiteln gegliedertes Literaturverzeichnis, das eine breite Übersicht über das Quellenmaterial und Zusatzliteratur gibt." Elektropraktiker#1 "...Nicht ohne Erfolg haben sich die beiden Autoren die Mühe gegeben, ein Buch zu schreiben, welches sowohl für "alte Hasen" als auch für Studenten geeignet ist. So können z.B. diejenigen, welche über ausreichende Grundlagenkenntnisse verfügen, die zwei ersten Kapitel überspringen, während angehende Wissenschaftler und Ingenieure gerade hier interessante und nützliche Denkanstöße finden werden..." Elektronik#2

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Produktdetails

• Halbleiter-Elektronik Bd.16
• Verlag: Springer, Berlin
• 2., überarb. u. erw. Aufl.
• Seitenzahl: 288
• Erscheinungstermin: 12. Dezember 1988
• Deutsch
• Abmessung: 235mm x 155mm x 16mm
• Gewicht: 462g
• ISBN-13: 9783540501930
• ISBN-10: 3540501932
• Artikelnr.: 36110775

Inhaltsangabe

Aus dem Inhalt:
Bezeichnungen und Symbole.- Einleitung.- Grundlagen.- Theorie des Ladungstransports.- GaAs-MESFET.- GaAs-Planartechnologie.- Stabilität und Zuverlässigkeit von GaAs-MESFET.- Ternäre und quaternäre Halbleiter für Hochfrequenz-FET.- Ausblick: Monolithisch integrierte Schaltungen auf GaAs.- Anhang.- Literaturverzeichnis.- Sachverzeichnis.

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1 Einleitung.- 2 Grundlagen.- 2.1 Prinzip des FET.- 2.2 Ausführungsformen von FET.- 2.3 Der Metall-Halbleiter-Übergang.- 2.4 Der p+n-Übergang.- 2.5 Die MIS-Struktur.- 3 Theorie des Ladungstransports.- 3.1 Vorbemerkung.- 3.2 Kennlinien von JFET und MESFET.- 3.3 Kennlinien von MISFET.- 3.4 Einfluß der Zuleitungswiderstände.- 3.5 Numerische Lösungen der Poisson-Gleichung.- 4 GaAs-MESFET.- 4.1 Kleinsignalverhalten.- 4.2 Rauschen.- 4.3 Kleinsignal-FET: Stand 1988.- 4.4 Leistungs-FET.- 5 GaAs-Planartechnologie.- 5.1 Herstellung von semiisolierendem Gas.- 5.2 Herstellung der aktiven Schichten.- 5.3 Herstellung der Bauelementestruktur.- 6 Stabilität und Zuverlässigkeit von GaAs-MESFET.- 6.1 Materialeinflüsse.- 6.2 Einfluß der Metallisierung.- 6.3 Zuverlässigkeitsdaten.- 7 Ternäre und quaternäre Halbleiter für Hochfrequenz-FET.- 7.1 Einfachschicht-Strukturen.- 7.2 Mehrfachschicht-Strukturen.- 8 Ausblick: Monolithisch integrierte Schaltungen auf GaAs.- 8.1 Analoge Schaltungen.- 8.2 Digitale Schaltungen.- Al Smith-Diagramm.- A2 S-Parameter.- A3 Kenngrößen von Netzwerken.