Jérémy Alvarez-Hérault

La MRAM, nouvelle mémoire non volatile

Mémoire magnétique à écriture par courant polarisé en spin assistée thermiquement

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Produktbeschreibung

Cette thèse s'inscrit dans la thématique des MRAM, nouvelles mémoires non volatiles utilisant des propriétés originales de l'électronique de spin. Le but de ce travail a été principalement de démontrer qu'un nouveau concept de MRAM était possible afin de passer outre les limitations imposées par chacune des générations déjà existantes (TA-MRAM et STT-RAM). Pour cela, leurs avantages respectifs ont été combinés, à savoir la stabilité thermique pour la TA-MRAM et l'écriture sans champ magnétique pour la STT-RAM. C'est ainsi qu'a été donnée au cours de cette étude la première démonstration de STT-TA- MRAM ainsi qu'une optimisation de ses propriétés grâce une structure améliorée. Le retournement de la couche de stockage par couple de transfert de spin a donc été au centre de ces recherches. Un montage expérimental innovant a également permis d'observer le retournement de l'aimantation en temps réel dans le but de mieux comprendre la physique de l'écriture. Enfin, la problématique de la durée de vie des barrières tunnel a été abordée montrant que celles-ci claquent plus lentement que prévu pour les impulsions courtes.

Produktdetails

• Verlag: Éditions universitaires européennes
• Seitenzahl: 144
• Erscheinungstermin: 12. August 2011
• Französisch
• Abmessung: 220mm x 150mm x 9mm
• Gewicht: 233g
• ISBN-13: 9786131572098
• ISBN-10: 6131572097
• Artikelnr.: 33863951

Autorenporträt

Jérémy Alvarez-Hérault a obtenu un diplôme d''ingénieur Grenoble INP et un Master en Physique de la Matière Condensée et du Rayonnement à l''Université Joseph Fourier en 2007. Il a ensuite effectué sa thèse de doctorat au laboratoire Spintec. Il travaille depuis 2010 chez Crocus Technology qui développe des applications à base de MRAM.