Monografiq poswqschena problemam i wozmozhnostqm ispol'zowaniq kremniq dlq sozdaniq priborow i ustrojstw nanoälektroniki i fotoälektroniki. Priwedeny izobrazheniq kwantowo-razmernyh äffektow. Priwedeny wozmozhnosti ih proqwleniq w kremniewyh älementah i strukturah, a takzhe fizicheskie ogranicheniq. Osnownye konstruktiwnye i tehniko-äxpluatacionnye pokazateli: tehnologiq polucheniq poluprowodnikowogo materiala s älementarnymi qchejkami AII BVI i AIII BV w kremniewoj reshetke, w zawisimosti ot ih sostawa i struktury, kak nowogo perspektiwnogo materiala dlq fotoälektroniki i fotoniki. Awtory wyrazhaüt osobuü blagodarnost' akademiku AN Respubliki Uzbekistan M.K.Bahadyrhanowu za swoewremennuü pomosch' w nauchnoj oblasti i prakticheskuü podderzhku w napisanii dannoj monografii. Rassmotreny naibolee perspektiwnye tehnologicheskie wozmozhnosti formirowaniq nanorazmernyh struktur kremniq.
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