Luciano Mendes Camillo

Estudo do ponto invariante com a temperatura ZTC

Em transistores soi mosfet fabricados com tecnologia ultra-submicrométrica

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Produktbeschreibung

Neste trabalho é apresentado um estudo do ponto ZTC (¿Zero Temperature Coefficient¿) em dispositivos SOI MOSFETs, funcionando em modo parcialmente (PD-SOI) e totalmente (FD-SOI) depletados. O estudo é realizado a partir de um modelo analítico simples, proposto para determinação da tensão de polarização da porta do transistor no ponto ZTC (VZTC), através dos modelos de primeira ordem das características da corrente de dreno (IDS) em função da tensão aplicada a porta (VGF) do transistor, considerando as regiões de operação linear e de saturação. Para a validação do modelo, os resultados obtidos são confrontados com dados experimentais, e foi obtido um bom ajuste dos valores, apesar das simplificações adotadas para o modelo proposto. Os resultados do modelo proposto foram avaliados com dados experimentais de outras tecnologias SOI MOSFET. Também foi obtido um bom ajuste com os valores para as tecnologias GC-SOI e GC-GAA SOI, operando em regime linear e saturação.

Produktdetails

• Verlag: Novas Edições Acadêmicas
• Seitenzahl: 148
• Erscheinungstermin: 3. Juli 2018
• Portugiesisch
• Abmessung: 220mm x 150mm x 9mm
• Gewicht: 238g
• ISBN-13: 9783330772489
• ISBN-10: 3330772484
• Artikelnr.: 62516298

Autorenporträt

Possui graduação em Materiais Processos e Componentes Eletrônicos pela Faculdade de Tecnologia de São Paulo (1997), mestrado em Engenharia Elétrica pela Universidade de São Paulo (2000) e doutorado em Engenharia Elétrica pela Universidade de São Paulo (2011).