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Cette étude est une tentative d'épitaxie par ablation laser de l'oxyde de forte permittivité Ba0.6Sr0.4TiO3 (BST) sur silicium en vue de l'intégration de condensateurs de forte capacité. Nous montrons d'abord l'effet bénéfique d'une croissance de BST orientée selon les plans (h00) sur substrat monocristallin SrTiO3(100) sur la valeur de la permittivité du film. Comme par ailleurs nous confirmons que la croissance du BST sur substrat Pt(111)/TiOx/SiO2/Si (0