22,99 €
inkl. MwSt.

Versandfertig in 6-10 Tagen
payback
11 °P sammeln
  • Broschiertes Buch

Monografiya M.E. Zobova i E.M. Zobova soderzhit obshirnyy sistematizirovannyy material, kasayushchiysya prirody, kharakteristicheskikh parametrov i osobennostey proyavleniya elektronnykh tsentrov prilipaniya i rekombinatsii v ZnS, ZnSe, ZnO. Podrobno rassmotreny neravnovesnye yavleniya v etikh shirokozonnykh materialakh, kotorye otrazhayut osobennosti vliyaniya vnutrennikh elektricheskikh i uprugikh poley, sozdannykh v mono-, mikro- i nanokristallakh makroskopicheskimi defektami, na protsessy prilipaniya, generatsii i rekombinatsii nositeley zaryada. Prodemonstrirovany vozmozhnosti upravleniya…mehr

Produktbeschreibung
Monografiya M.E. Zobova i E.M. Zobova soderzhit obshirnyy sistematizirovannyy material, kasayushchiysya prirody, kharakteristicheskikh parametrov i osobennostey proyavleniya elektronnykh tsentrov prilipaniya i rekombinatsii v ZnS, ZnSe, ZnO. Podrobno rassmotreny neravnovesnye yavleniya v etikh shirokozonnykh materialakh, kotorye otrazhayut osobennosti vliyaniya vnutrennikh elektricheskikh i uprugikh poley, sozdannykh v mono-, mikro- i nanokristallakh makroskopicheskimi defektami, na protsessy prilipaniya, generatsii i rekombinatsii nositeley zaryada. Prodemonstrirovany vozmozhnosti upravleniya vnutrennimi elektricheskimi i uprugimi polyami vneshnimi vozdeystviyami (elektricheskoe pole, odnoosnoe davlenie, ul'trazvuk). Kniga budet polezna mnogochislennym spetsialistam fizikam, rabotayushchim v oblasti issledovaniy glubokikh tsentrov v poluprovodnikakh i ikh tekhnicheskikh primeneniy v optoelektronike, a takzhe aspirantam i studentam, spetsializiruyushchikhsya v etoy oblasti.
Autorenporträt
Rodilsq 21.01.82 g. w g.Mahachkala. V 1989-1999 g.- SOSh ¿4; 1999-2004 ¿ fizicheskij fakul'tet Dagestanskogo gosudarstwennogo uniwersiteta; 2004-2007 - aspirantura w Institute fiziki DNC RAN; 2008-zaschita kandidatskoj dissertacii w Ul'qnowskom gosudarstwennom uniwersitete po spec."poluprowodniki"; s 2008 g. nauchnyj sotrudnik w Institute fiziki DNC RAN.