Andere Kunden interessierten sich auch für
![Amélioration des performances des SRAM FINFET à l'aide de différents matériaux de grille]( "Amélioration des performances des SRAM FINFET à l'aide de différents matériaux de grille")
Amélioration des performances des SRAM FINFET à l'aide de différents matériaux de grille23,99 €![Performance Enhancement of SRAM FINFET using different Gate materials]( "Performance Enhancement of SRAM FINFET using different Gate materials")
Performance Enhancement of SRAM FINFET using different Gate materials23,99 €![Leistungsverbesserung von SRAM FINFET mit verschiedenen Gate-Materialien]( "Leistungsverbesserung von SRAM FINFET mit verschiedenen Gate-Materialien")
Leistungsverbesserung von SRAM FINFET mit verschiedenen Gate-Materialien35,90 €![Miglioramento delle prestazioni delle SRAM FINFET utilizzando diversi materiali per i gate]( "Miglioramento delle prestazioni delle SRAM FINFET utilizzando diversi materiali per i gate")
Miglioramento delle prestazioni delle SRAM FINFET utilizzando diversi materiali per i gate23,99 €![Melhoria do desempenho da SRAM FINFET utilizando diferentes materiais de porta]( "Melhoria do desempenho da SRAM FINFET utilizando diferentes materiais de porta")
Melhoria do desempenho da SRAM FINFET utilizando diferentes materiais de porta23,99 €![Powyshenie proizwoditel'nosti OLED za schet izmeneniq legirowaniq i tolschiny]( "Powyshenie proizwoditel'nosti OLED za schet izmeneniq legirowaniq i tolschiny")
Powyshenie proizwoditel'nosti OLED za schet izmeneniq legirowaniq i tolschiny16,99 €![Powyshenie proizwoditel'nosti awtonomnyh sistem wozobnowlqemoj änergii]( "Powyshenie proizwoditel'nosti awtonomnyh sistem wozobnowlqemoj änergii")
Powyshenie proizwoditel'nosti awtonomnyh sistem wozobnowlqemoj änergii19,99 €
V ätoj knige opisywaetsq koncepciq proektirowaniq SRAM w tehnologiqh FinFET s ispol'zowaniem unikal'nyh wozmozhnostej neplanarnyh ustrojstw s dwojnym zatworom. Budet rassmotreno prostranstwo parametrow, neobhodimyh dlq proektirowaniq FinFET. Budut predstawleny razlichnye metody proektirowaniq SRAM, ispol'zuüschie preimuschestwa konfiguracij so swqzannymi zatworami i konfiguracij s nezawisimym uprawleniem zatworami. Proizwoditel'nost', moschnost' i stabil'nost' SRAM dlq FinFET-priborow srawniwaütsq s tradicionnymi planarnymi KMOP-analogami. Takzhe budet predstawleno modelirowanie izmenchiwosti FinFET s pomosch'ü statistiki. Srawnenie MOSFET ustrojstw s polikremniem i molibdenom w kachestwe materiala zatwora, a takzhe razrabotka FinFET ustrojstw s razlichnymi materialami zatwora, takimi kak zoloto, wol'fram, tantal i molibden, i srawnenie rezul'tatow s ustrojstwami s polikremniewym materialom zatwora.