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Izucheno obrazowanie radiacionnyh defektow pri wysokoänergeticheskom MäV-älektronnom obluchenii struktury Si-SiO2 n- i p-tipa s razlichnymi widami oxidow. Morfologicheskie izmeneniq oxida SiO2 pri obluchenii älektronow MäV-älementow nablüdalis' pri ASM. Predstawleny iony Si+, implantirowannye Si-SiO2 struktury do i posle oblucheniq älektronami MäV. Pereraspredelenie atomow kisloroda i kremniq i generaciq nanokristallow Si pri obluchenii älektronow MäV nablüdalis' metodami BKS/S i ASM sootwetstwenno. Takzhe prowedeny opticheskie swojstwa, fotolüminescenciq i spektroskopicheskie issledowaniq plenok SiOx, obluchennyh MäV-älektronami.