V älektronnyh shemah s nizkim änergopotrebleniem i wysokoj skorost'ü raboty trebuütsq ustrojstwa s bolee krutymi harakteristikami. Skorost' raboty ustrojstwa uwelichiwaetsq s uwelicheniem krutizny IV harakteristiki, a nizkaq moschnost' dostigaetsq za schet raboty ustrojstwa w podporogowoj oblasti. Izmerenie tokow w podporogowoj oblasti predstawlqet soboj bol'shuü problemu. Dlq dostizheniq wysokoj skorosti pereklücheniq neobhodimo predlozhit' nowoe ustrojstwo, sochetaüschee w sebe preimuschestwa FinFET i TFET. V dannoj dissertacii predlozheno gibridnoe ustrojstwo so znacheniem SS < 25 mV/del. Dlq modelirowaniq i opredeleniq harakteristik ustrojstwa w dissertacii ispol'zowan Synopsis Centaurus TCAD.