Crescimento de filmes finos de NiFe por "magnetron sputtering"
Nanoestruturas para aplicações envolvendo magnetorresistência anisotrópica
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Sensores baseados em magnetorresistência anisotrópica são promissores para medidas de posição tanto angulares quanto lineares. Estes dispositivos normalmente possuem a estrutura Ta/NiFe/Ta com a espessura da camada de NiFe sendo da ordem de 10 nm. Neste trabalho, propomos verificar se é possível aumentar a variação percentual da resistência e a sensibilidade, para estruturas com boa estabilidade térmica, simplesmente acrescentando uma etapa de oxidação após o crescimento de cada camada. Estudamos a influência dos parâmetros de deposição nas propriedades estruturais e magnéti...
Sensores baseados em magnetorresistência anisotrópica são promissores para medidas de posição tanto angulares quanto lineares. Estes dispositivos normalmente possuem a estrutura Ta/NiFe/Ta com a espessura da camada de NiFe sendo da ordem de 10 nm. Neste trabalho, propomos verificar se é possível aumentar a variação percentual da resistência e a sensibilidade, para estruturas com boa estabilidade térmica, simplesmente acrescentando uma etapa de oxidação após o crescimento de cada camada. Estudamos a influência dos parâmetros de deposição nas propriedades estruturais e magnéticas das amostras e otimizamos o crescimento de filmes finos de NiFe pela técnica de "magnetron sputtering". Verificamos a influência do tratamento térmico nas propriedades estruturais de nanoestruturas do tipo Ta/NiFe/Ta submetidas, ou não, à oxidação das interfaces. Observamos que a nanocamada de óxido de tântalo pode desempenhar o papel esperado, todavia, a qualidade cristalina das camadas de NiFe gera valores quantitativos de magnetorresistência menores que os encontrados na literatura.
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