Suchergebnisse für ""V. V. Ramana""

Die Rolle des Ausglühens bei der Grenzflächentechnik in Ge-MOS-Bauelementen
35,90 €
inkl. MwSt. und vom Verlag festgesetzt.
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Rajesh T. V.
Jagadeesh Chandra S. V.
V. V. Ramana Ch
Die Rolle des Ausglühens bei der Grenzflächentechnik in Ge-MOS-Bauelementen
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Die Rolle des Ausglühens bei der Grenzflächentechnik
8. September 2023
Verlag Unser Wissen
Mit Zirkonium dotierte Tantaloxid-High-k-Dielektrikumsschichten für MOS-Bauelemente
35,90 €
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S.V. Jagadeesh Chandra
Mallem Kumar
V. V. Ramana
Mit Zirkonium dotierte Tantaloxid-High-k-Dielektrikumsschichten für MOS-Bauelemente
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CMOS-Entwurf
30. September 2022
Verlag Unser Wissen
Raspberry PI based Automatic Gate Open/Close System for Township
27,99 €
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Ch. V. V. Ramana
B. Brahmaiah
R. Rama Mohan
Raspberry PI based Automatic Gate Open/Close System for Township
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Design, development, embedded and applications
3. Juli 2018
LAP LAMBERT Academic Publishing
Capacitance measurement system using integrated instruments
53,99 €
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Ch. V. V. Ramana
M. Ashok Kumar
Capacitance measurement system using integrated instruments
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Broschiertes Buch
Design, Development, integrated instruments, embedded and applications
30. Januar 2015
LAP Lambert Academic Publishing
Role of Annealing on the Interface Engineering in Ge MOS devices
23,99 €
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Rajesh T. V.
Jagadeesh Chandra S. V.
V. V. Ramana Ch
Role of Annealing on the Interface Engineering in Ge MOS devices
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Role of Annealing on the Interface Engineering
5. Januar 2017
LAP Lambert Academic Publishing
Zirconium doped tantalum oxide high-k dielectric films for MOS devices
25,99 €
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S. V. Jagadeesh Chandra
Mallem Kumar
Ch. V. V. Ramana
Zirconium doped tantalum oxide high-k dielectric films for MOS devices
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Broschiertes Buch
CMOS design
18. Juni 2018
LAP LAMBERT Academic Publishing
Rôle du recuit sur l'ingénierie d'interface dans les dispositifs Ge MOS
23,99 €
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Rajesh T. V.
Jagadeesh Chandra S. V.
V. V. Ramana Ch
Rôle du recuit sur l'ingénierie d'interface dans les dispositifs Ge MOS
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Rôle du recuit sur l'ingénierie d'interface
8. September 2023
Editions Notre Savoir
Papel do recozimento na engenharia de interface em dispositivos Ge MOS
23,99 €
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Rajesh T. V.
Jagadeesh Chandra S. V.
V. V. Ramana Ch
Papel do recozimento na engenharia de interface em dispositivos Ge MOS
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Papel do recozimento na engenharia de interfaces
8. September 2023
Edições Nosso Conhecimento
Ruolo della ricottura sull'ingegneria dell'interfaccia nei dispositivi Ge MOS
23,99 €
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Rajesh T. V.
Jagadeesh Chandra S. V.
V. V. Ramana Ch
Ruolo della ricottura sull'ingegneria dell'interfaccia nei dispositivi Ge MOS
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Ruolo della ricottura sull'ingegneria dell'interfaccia
8. September 2023
Edizioni Sapienza
Film dielettrici high-k di ossido di tantalio drogato con zirconio per dispositivi MOS
23,99 €
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S.V. Jagadeesh Chandra
Mallem Kumar
V. V. Ramana
Film dielettrici high-k di ossido di tantalio drogato con zirconio per dispositivi MOS
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Progettazione CMOS
30. September 2022
Edizioni Sapienza
Vysokokristallicheskie diälektricheskie plenki iz oxida tantala, legirowannogo cirkoniem, dlq MOP-priborow
13,99 €
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S.V. Dzhagadesh Chandra
Mallem Kumar
V. V. Ramana
Vysokokristallicheskie diälektricheskie plenki iz oxida tantala, legirowannogo cirkoniem, dlq MOP-priborow
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Proektirowanie KMOP
30. September 2022
Sciencia Scripts
Films diélectriques à haute valeur k en oxyde de tantale dopé au zirconium pour dispositifs MOS
23,99 €
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S.V. Jagadeesh Chandra
Mallem Kumar
V. V. Ramana
Films diélectriques à haute valeur k en oxyde de tantale dopé au zirconium pour dispositifs MOS
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Conception CMOS
30. September 2022
Editions Notre Savoir
Filmes dieléctricos de alto teor de óxido de zircónio dopado de óxido de tântalo para dispositivos MOS
23,99 €
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S.V. Jagadeesh Chandra
Mallem Kumar
V. V. Ramana
Filmes dieléctricos de alto teor de óxido de zircónio dopado de óxido de tântalo para dispositivos MOS
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Desenho CMOS
30. September 2022
Edições Nosso Conhecimento
Papel del recocido en la ingeniería de interfaz de los dispositivos MOS de Ge
25,99 €
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Rajesh T. V.
Jagadeesh Chandra S. V.
V. V. Ramana Ch
Papel del recocido en la ingeniería de interfaz de los dispositivos MOS de Ge
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Función del recocido en la ingeniería de interfaz
8. September 2023
Ediciones Nuestro Conocimiento
Películas dieléctricas de alto k de óxido de circonio dopado para dispositivos MOS
25,99 €
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S. V. Jagadeesh Chandra
Mallem Kumar
V. V. Ramana
Películas dieléctricas de alto k de óxido de circonio dopado para dispositivos MOS
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Broschiertes Buch
Diseño CMOS
30. September 2022
Ediciones Nuestro Conocimiento


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