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Diälektriki s wysokoj pronicaemost'ü i sootwetstwuüschie podlozhki intensiwno izuchaütsq s cel'ü ih ispol'zowaniq w proektirowanii SBIS. Odnako oxid gafniq (HfO2) qwlqetsq perspektiwnym kandidatom na sozdanie nowogo pokoleniq diälektrikow zatwora blagodarq swoej otnositel'no wysokoj diälektricheskoj pronicaemosti 25 , shirokoj polose propuskaniq, horoshej termicheskoj stabil'nosti i otnositel'no wysokoj swobodnoj änergii reakcii s materialom podlozhki. V poslednee wremq älektronnym ustrojstwam na osnowe Ge wnow' udelqetsq bol'shoe wnimanie, i Ge mozhet obespechit' reshenie osnownyh problem, s kotorymi stalkiwaetsq tehnologiq Si w peredowyh KMOP-priborah; äto swqzano, prezhde wsego, s bolee wysokoj mo-bil'nost'ü kak dyrok, tak i älektronow w podlozhke Ge. Takim obrazom, dannaq kniga budet polezna chitatelqm dlq oznakomleniq s nekotorymi suschestwennymi woprosami tehnologii Ge dlq wysokochastotnyh ustrojstw.