Venkatram Venkatasami

Formaciq HgCdTe (MCT) JeLEKTROHIMIChESKOJ DEPOZICIONNOJ ATOMIChESKOJ LAJERNOJ DEPOZICII

RASSLEDOVANIE V OBLASTI RAZRABOTKI LENTOChNYH PROBOK

• Broschiertes Buch

Produktbeschreibung

HgCdTe ili Mer-Cad-Tel qwlqetsq naibolee shiroko ispol'zuemym infrakrasnym materialom. Nastoqschee issledowanie opisywaet rost MCT cherez älektrohimicheskij ALD, ispol'zuq awtomatizirowannuü sistemu älektrohimicheskogo osazhdeniq protochnyh qcheek. Osazhdenie bylo oharakterizowano s pomosch'ü rentgenowskoj difrakcii (XRD), älektronno-zondowogo mikroanaliza (EPMA) i infrakrasnoj spektroskopii s preobrazowaniem Fur'e (FTIR). Kak osazhdennye plenki pokazali sil'nuü (111) predpochtitel'nuü orientaciü. Izmeneniq osadochnogo sostawa pokazali ozhidaemuü tendenciü w polosowyh zazorah: chem bol'she rt.st., tem nizhe polosowoj zazor, no s nekotorymi znachitel'nymi otkloneniqmi. Jelektrohimicheskie issledowaniq kristallicheskogo mikrowesow kwarca (EQCM) s ispol'zowaniem awtomaticheskoj protochnoj qchejki pokazali, chto nekotorye osazhdennye Cd snimalis' pri potencialah, ispol'zuemyh dlq osazhdeniq rt.st. Krome togo, okislitel'no-wosstanowitel'naq zamena osazhdennogo Cd na Hg byla ochewidna, chto qwlqetsq funkciej bol'shej stabil'nosti Hg, chem Cd.

---

Hinweis: Dieser Artikel kann nur an eine deutsche Lieferadresse ausgeliefert werden.

Produktdetails

• Verlag: Sciencia Scripts
• Seitenzahl: 112
• Erscheinungstermin: 10. März 2021
• Russisch
• Abmessung: 220mm x 150mm x 7mm
• Gewicht: 185g
• ISBN-13: 9786202966610
• ISBN-10: 6202966610
• Artikelnr.: 61309053

Autorenporträt

Venkatram Venkatasami poluchil stepen' bakalawra po special'nosti "Himicheskaq i älektrohimicheskaq tehnika" w Central'nom älektrohimicheskom nauchno-issledowatel'skom institute (Indiq) w 2002 godu i doktora filosofii po special'nosti "Himiq" w Uniwersitete shtata Dzhordzhiq (SShA) w 2007 godu. Zatem on prisoedinilsq k issledowatel'skoj kompanii Seagate w Blumingtone, shtat N'ü-Jork, gde w nastoqschee wremq rabotaet nad tehnologiqmi zhestkih diskow buduschego.