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Desafiantes questões das propriedades eletrônicas de sistemas nanoscópicos anelares são abordadas em cálculos e experimentos, onde procedimentos, que vão desde o crescimento e síntese por MBE (molecular beam epitaxy) à caracterização estrutural e óptica, se interligam. O presente texto sistematiza o estudo das propriedades eletrônicas e ópticas de sistemas semicondutores quase-zero-dimensionais com confinamento anelar, através da utilização de métodos de cálculo de estrutura eletrônica utilizando o modelo k.p, o que permite elucidar efeitos de tensão na modulação dos perfis de potencial e da…mehr

Produktbeschreibung
Desafiantes questões das propriedades eletrônicas de sistemas nanoscópicos anelares são abordadas em cálculos e experimentos, onde procedimentos, que vão desde o crescimento e síntese por MBE (molecular beam epitaxy) à caracterização estrutural e óptica, se interligam. O presente texto sistematiza o estudo das propriedades eletrônicas e ópticas de sistemas semicondutores quase-zero-dimensionais com confinamento anelar, através da utilização de métodos de cálculo de estrutura eletrônica utilizando o modelo k.p, o que permite elucidar efeitos de tensão na modulação dos perfis de potencial e da estrutura eletrônica, de campos magnéticos aplicados, nos estados de spin, além de efeitos relativos à composição e confinamento.
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Autorenporträt
Doutorando em Física pelo Departamento de Física da Universidade Federal de São Carlos (UFSCar), atuando como teórico na área de Física da Matéria Condensada, Mestre em Física pela UFSCar, trabalhando com estrutura de bandas em semicondutores, e graduado em Física pela Universidade Estadual de Santa Cruz, trabalhando na área de Física Médica.