La detección de MWIR (radiación infrarroja de longitud de onda media) es importante para las aplicaciones industriales, biomédicas y militares. Las FPA de IR de tercera generación de alto rendimiento ya son una propuesta atractiva para el diseñador del sistema de IR. Abarcan, por ejemplo, bandas multicolores (al menos dos, y tal vez más bandas espectrales diferentes) con la posibilidad de detección simultánea tanto en el espacio como en el tiempo, y tamaños cada vez mayores. Una alineación de banda de tipo II tal que la banda de conducción de la capa de InAs es inferior a la banda de valencia de la capa de GaSb. El espacio de banda efectivo de estas estructuras puede ajustarse desde 0,4 eV hasta valores inferiores a 0,1 eV variando el espesor de las capas constituyentes, lo que da lugar a una enorme gama de longitudes de onda de corte del detector (3- 20¿m). Este libro se centra en las diversas características clave ópticas (sensibilidad y detectividad) y eléctricas (fuga superficial y corriente oscura) del detector de infrarrojos y la prueba de concepto se demuestra en fotodiodos infrarrojos P-I-N basados en superredes InAs/GaSb con una longitud de onda de corte de ~8,5 µm y una energía de banda de separación de ~150 meV que funciona a 78 K, donde se observa la supresión de las corrientes de fuga superficial.
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