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Produktbild: Novel Three-state Quantum Dot Gate Field Effect Transistor
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Novel Three-state Quantum Dot Gate Field Effect Transistor Fabrication, Modeling and Applications

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Beschreibung

Produktdetails

Einband

Taschenbuch

Erscheinungsdatum

17.09.2016

Abbildungen

XIV, 134 p. 121 illus., 49 illus. in color.

Verlag

Springer India

Seitenzahl

134

Maße (L/B/H)

23,4/15,6/0,8 cm

Gewicht

218 g

Auflage

Softcover reprint of the original 1st ed. 2014

Sprache

Englisch

ISBN

978-81-322-3490-6

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Taschenbuch

Erscheinungsdatum

17.09.2016

Abbildungen

XIV, 134 p. 121 illus., 49 illus. in color.

Verlag

Springer India

Seitenzahl

134

Maße (L/B/H)

23,4/15,6/0,8 cm

Gewicht

218 g

Auflage

Softcover reprint of the original 1st ed. 2014

Sprache

Englisch

ISBN

978-81-322-3490-6

Herstelleradresse

Libri GmbH
Europaallee 1
36244 Bad Hersfeld
DE

Email: gpsr@libri.de

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  • Produktbild: Novel Three-state Quantum Dot Gate Field Effect Transistor

  • Introduction: Multi State Devices and Logic.- Quantum Dot Gate Field Effect Transistor Device Structures.- Quantum Dot Gate Field Effect Transistors Fabrication and Characterization.- Quantum DOT Gate Field Effect Transistors Theory and Device Modeling.- Quantum Dot Gate NMOS Inverter.- Quantum Dot Gate Field Effect Transistor (QDGFET): Circuit Model and Ternary Logic Inverter.- Analog-to-Digital Converter (ADC) and Digital-to-Analog Converter (DAC) Using Quantum DOT Gate Field Effect Transistor (QDGFET).- Performance in SUB-25nm Range.- Conclusions.